半导体装置

摘要

将在漂移层(3)表面形成的基极层(5)及n型缓冲层(2)间的距离Ls与接触此漂移层(3)而形成的半导体基板(10)的膜厚t之关系设定为Ls≦t≦2．Ls。可不降低耐压特性而减低高耐压半导体装置关闭时的损失。