| 摘要 |
一种制造一半导体装置之方法包括：在一半导体基板上形成一第一遮罩层；在该第一遮罩层上形成一第二遮罩层；图案化该第一遮罩层及该第二遮罩层，以分别形成一第一遮罩图案及一第二遮罩图案，该第一遮罩层及该第二遮罩层具有复数个第一开口；加宽该复数个第一开口之一上部部分，以形成一第二精细遮罩图案，该第二精细遮罩图案具有复数个第二开口，相对于该复数个第一开口之宽度，该复数个第二开口具有较大宽度；在该复数个第一开口与该复数个第二开口中形成一第三遮罩图案；移除该第二精细遮罩图案；及蚀刻该第一遮罩图案，以形成一第一精细遮罩图案。 |
