| 摘要 |
本发明系一种静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护方法与电路，利用场区(field)n-通道金氧半场效电晶体(n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor,NMOS)之闸极受到高静电压会打开电子通道导通大量静电流之原理，有效防护任何在工作电压(operation voltage)范围外之静电放电事件(ESD event)，改良传统之p-通道金氧半场效电晶体(PMOS)仅能保护比电源电压V#sB!D#eB!#sB!D#eB!小之输入输出端(I/O)工作电压之限制。且，因其工作电压涵盖范围极广，故可直接用于开汲极(open drain)输出端与电源电压V#sB!D#eB!#sB!D#eB!之间，不必经由对V#sB!S#eB!#sB!S#eB!作两阶段静电放电保护，节省许多空间亦更为安全；同时，亦不同于采穿透崩溃电流(punch through current)为静电放电保护之浮动闸极场区n-通道金氧半场效电晶体(floating-gate field NMOS)，本发明可明确设定静电放电保护之启动(trigger)电压值(亦即该电子通道产生之临界电压)使静电保护更加安全。 |
