| 摘要 |
一种非挥发记忆体装置，包含记忆格(memory cell)阵列、页面缓冲器、记忆格特性侦测电路、Ｘ解码器以及Ｙ解码器。记忆格阵列具有耦接至位元线与字元线之记忆格。页面缓冲器编程资料至选择记忆格或从选择记忆格读取资料。记忆格特性侦测电路系耦接至页面缓冲器之感测节点，并对选择记忆格使用读取电压与编程电压，依据记忆格之分布状态输出控制信号。Ｘ编码器依据输入位址选择记忆格阵列之字元线。Ｙ解码器提供一路径，用以输入/输出选择记忆格中之资料。在此，选择记忆格系依据记忆格特性确认电路输出之控制信号，藉由使用编程电压来编程，以对应编程确认电压。 |
