| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置，其包含：一第一绝缘膜(14A)，其系于一单元电晶体区域中设置于一半导体基板(13)上；一第一导电膜(15)，其系设置于该第一绝缘膜上；一电极间绝缘膜(16)，其系设置于该第一导电膜上；一第二导电膜(3a、3b)，其系设置于该电极间绝缘膜上并在其一顶部表面上具有一第一金属矽化物(3b)膜；第一源极/汲极区域(23)，其系形成于该半导体基板之一表面上；一第二绝缘膜(14B)，其系于一选择闸极电晶体区域与一周边电晶体区域之至少一者中，设置于半导体基板上；一第三导电膜(3a、3b、22)，其系设置于该第二绝缘膜上并在其一顶部表面上具有一厚度小于该第一金属矽化物膜(3b)之厚度的第二金属矽化物膜(22)；以及第二源极/汲极(23a、23b)区域，其系形成于该半导体基板之该表面上。 |
