| 摘要 |
本发明揭示一种离子植入系统，其系运用一质量分析器来同时进行质量分析及角度校正。一离子源系沿着一射束路径来产生一离子束。一质量分析器系被设置在该离子源的下游处用以对该离子束实施质量分析及角度校正。一孔径装配件内的解析孔径系被设置在该质量分析器组件的下游处并且系沿着该射束路径设置。该解析孔径具有依照该离子束之选定的质量解析度及射束波封的尺寸及形状。一角度测量系统系被设置在该解析孔径的下游处并且会获得该离子束的入射角度值。一控制系统系根据来自该角度测量系统的离子束入射角度值来推知该质量分析器的磁场调整值。 |
