发明名称 Mehrchip-Packung und Verfahren zu ihrer Ausbildung
摘要 Die vorliegende Erfindung stellt eine Mehrchip-Packungsstruktur bereit, die umfasst: ein Substrat mit einem Chipaufnahmehohlraum, der innerhalb einer oberen Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, und einer ersten Durchgangslochstruktur, wobei Anschlusskontaktbahnen unter der ersten Durchgangslochstruktur ausgebildet sind. Ein erster Chip ist innerhalb des Aufnahmehohlraums angeordnet, und eine erste dielektrische Schicht ist auf dem ersten Chip und dem Substrat ausgebildet. Eine erste leitende Umverteilungsschicht ist auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet. Eine zweite dielektrische Schicht ist über der ersten Umverteilungsschicht ausgebildet. Eine dritte dielektrische Schicht ist unter einem zweiten Chip ausgebildet. Eine zweite leitende Umverteilungsschicht ist unter der dritten dielektrischen Schicht ausgebildet. Eine vierte dielektrische Schicht ist unter der zweiten Umverteilungsschicht ausgebildet. Leitende Kontaktkugeln sind mit der ersten Umverteilungsschicht und der zweiten Umverteilungsschicht verbunden. Ein Umgebungsmaterial umgibt den zweiten Chip. Der zweite Chip ist ist durch die erste Umverteilungsschicht, die zweite Umverteilungsschicht und die leitenden Kontaktkugeln mit dem ersten Chip verbunden.
申请公布号 DE102008003156(A1) 申请公布日期 2008.07.31
申请号 DE20081003156 申请日期 2008.01.03
申请人 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC. 发明人 YANG, WEN-KUN
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L25/065 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
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