Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht

摘要

Bei einer erfindungsgemäßen Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga(In, Al)P-Verbindungen ist mindestens auf einer Seite einer einen pn-Übergang (2A) aufweisenden LED-Struktur (2) der Diode eine transparente, elektrisch leitende Kontaktierungsschicht (3) aus dotiertem Zinkoxid (ZnO) aufgebracht. Diese erlaubt sowohl einerseits aufgrund ihrer hohen Bandlücke eine gute optische Transparenz für die emittierte Laserstrahlung als auch andererseits eine gute elektrische Kontaktierung der LED-Struktur (2).