Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren von Verunreinigungen auf einem Wafer

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Analysieren von Verunreinigungen auf einem Wafer. Eine Vorrichtung gemäß der Erfindung beinhaltet einen Waferhalter (160) zum Tragen eines Wafers (W), eine Laserablationsvorrichtung (110) zum Einstrahlen von Laserlicht auf den Wafer, um ein diskretes Probenstück von dem Wafer zu extrahieren, eine Analysezelle (170) zum Sammeln eines diskreten Probenstücks von der Oberfläche des Wafers durch Einstrahlen des Laserlichts sowie eine Analysevorrichtung (190), die mit der Analysezelle verbunden ist, um Verunreinigungen von dem gesammelten diskreten Probenstück zu analysieren. Verwendung in der Halbleiterfertigungstechnologie.