| 发明名称 |
Konzept zur Reduktion von Leckströmen von integrierten Schaltungen mit wenigstens einem Transistor |
| 摘要 |
Eine Vorrichtung zur Reduktion von Leckströmen einer integrierten Schaltung mit wenigstens einem Transistor, wobei der wenigstens eine Transistor zwischen ein Versorgungspotential (V<SUB>DD</SUB>) undgeschaltet ist, mit einer Einrichtung (501) zum Steuern des ersten Bezugspotentials (V<SUB>SS,virt</SUB>) in Abhängigkeit von dem Versorgungspotential (V<SUB>DD</SUB>).
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| 申请公布号 |
DE102007002150(A1) |
申请公布日期 |
2008.07.31 |
| 申请号 |
DE200710002150 |
申请日期 |
2007.01.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HAID, JOSEF;KUENEMUND, THOMAS;LEUTGEB, THOMAS;ZIMEK, BERND |
| 分类号 |
G11C11/4193;H01L23/58 |
主分类号 |
G11C11/4193 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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