| 发明名称 | 一种提高TiNi合金支架在X－光下显影性的方法 | ||
| 摘要 | 一种提高TiNi合金支架在X－光下显影性的方法，它涉及一种提高TiNi合金在X－光下显影性的方法。它解决了现有技术中提高TiNi合金支架在X－光下显影性的方法存在工艺复杂、成本高、降低了TiNi合金的机械性能或是降低TiNi合金的相变温度的问题。其方法：将TiNi合金支架化学抛光后清洗、吹干，然后放入多弧离子镀炉中，先进行溅射清洗，再用钽离子轰击溅射清洗后的TiNi合金支架并沉积，然后冷却至室温取出。本发明一种提高TiNi合金支架在X－光下显影性的方法，不影响TiNi合金的相变温度和机械性能，工艺简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN101230445A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810064031.8 | 申请日期 | 2008.02.25 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 隋解和;成艳;高智勇;蔡伟 |
| 分类号 | C23C14/02(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/16(2006.01);A61F2/82(2006.01);A61L31/08(2006.01) | 主分类号 | C23C14/02(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 金永焕 |
| 主权项 | 1.一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法，其特征在于提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法按以下步骤实现：一、将TiNi合金支架化学抛光，再放入丙酮中超声波清洗，然后吹干；二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中，抽真空至10-4～10-5Pa，再通入氩气至0.2～0.3Pa，在TiNi合金支架加上800～1100V的负偏压，进行溅射清洗，持续时间为20～40min；三、溅射清洗后，在弧流为70～80A、负偏压为100～500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积，轰击时间为30～160min，然后冷却至室温取出，得镀钽层的TiNi合金支架。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||