发明名称 |
记忆卡的结构与其方法 |
摘要 |
本发明系提供一种记忆卡结构,包含一上表面具有晶粒容纳凹槽之基底、一通孔结构及形成于基底之布线。一第一晶粒配置于晶粒容纳凹槽。一第一介电层形成于第一晶粒与基底之上。一第一重布层(re-distribution layer,RDL)形成于第一介电层上,其中第一重布层系耦合至第一晶粒与布线。一第二介电层形成于第一重布层上。一第二晶粒配置于第二介电层之上。一第三介电层形成于第二介电层与第二晶粒上。一第二重布层形成于第三介电层上,其中第二重布层系耦合至第二晶粒与第一重布层。一第四介电层形成于第二重布层上。一第三晶粒形成于第四介电层上并耦合至第二重布层。一第五介电层形成于第三晶粒周围,并由一塑胶盖罩住第一、第二及第三晶粒。 |
申请公布号 |
CN101231709A |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200810000793.1 |
申请日期 |
2008.01.17 |
申请人 |
育霈科技股份有限公司 |
发明人 |
杨文焜;余俊辉;林志伟;周昭男 |
分类号 |
G06K19/077(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/18(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
G06K19/077(2006.01) |
代理机构 |
北京挺立专利事务所 |
代理人 |
叶树明 |
主权项 |
1.一种记忆卡结构,其特征在于:所述记忆卡结构包含:一基底具有一晶粒容纳凹槽位于该基底之上表面、一通孔结构及一形成于该基底之布线;一第一晶粒配置于该晶粒容纳凹槽之内;一第一介电层形成于该第一晶粒与该基底之上;一第一重布层形成于该第一介电层之上,其中该第一重布层系耦合至该第一晶粒与该布线;一第二介电层形成于该第一重布层;一第二晶粒配置于该第二介电层;一第三介电层形成于该第二介电层与该第二晶粒之上;一第二重布层形成于该第三介电层之上,其中该第二重布层系耦合至该第二晶粒与该第一重布层;一第四介电层形成于该第二重布层之上;一第三晶粒形成于该第四介电层之上并耦合至该第二重布层;一第五介电层形成于该第三晶粒之周围;及一塑胶盖罩住该第一、第二及第三晶粒。 |
地址 |
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号 |