发明名称 |
制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种半导体器件的制造方法包括:在形成于半导体晶片上的膜上完成蚀刻的步骤;以及除去步骤,在蚀刻之后在半导体晶片的转数小于预定转数的状态下将用于除去膜上的淀积物的除去溶液施加到半导体晶片上以便此后以比预定转数高的转数旋转半导体晶片。在该方法中,施加除去溶液的时间周期为小于或等于45秒。该方法包括执行除去步骤大于等于两次的程序。 |
申请公布号 |
CN101231945A |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200810008717.5 |
申请日期 |
2008.01.24 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
永仓丰 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);G03F7/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;陆锦华 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括:在半导体晶片上形成膜;在该膜上形成掩模膜;使用该掩模蚀刻该膜;以及在蚀刻该膜之后清洗该晶片,该清洗步骤包括在执行除去步骤的同时,将除去溶液施加到晶片上的程序,该除去步骤具有多个操作,这些操作包括以第一转数旋转晶片以及以比第一转数大的第二转数旋转该晶片,其中在清洗步骤中施加除去溶液的全部时间为45秒或更少。 |
地址 |
日本神奈川 |