| 发明名称 | 生长氮化铟单晶薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。 | ||
| 申请公布号 | CN101230487A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710062979.5 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;肖红领;胡国新;杨柏;冉学军;王梅;张小宾;李建平;李晋闽 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B25/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||