| 发明名称 | 一种消除Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器形成电压的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器形成电压的方法。生长完Cu<SUB>x</SUB>O存储介质后，在N<SUB>2</SUB>、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu<SUB>2</SUB>O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的Cu<SUB>x</SUB>O存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善Cu<SUB>x</SUB>O电阻存储器的疲劳特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101232076A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810032764.3 | 申请日期 | 2008.01.17 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;陈邦明;吕杭炳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法，其特征在于：生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空缺氧气氛中进行退火，退火温度控制在100～600℃之间，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏；这里1＜x≤2。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||