| 发明名称 | 非易失性存储装置及其擦除方法 | ||
| 摘要 | 在一方面中，提供非易失性NAND闪存半导体存储装置，配置以分别在擦除操作之前和之后，执行预编程操作和编程后操作中的至少一个。每个预编程操作和编程后操作包括提供编程电压至定义存储装置字线块的多个字线的子集。 | ||
| 申请公布号 | CN101231889A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710300769.5 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 边大锡 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01);G11C16/16(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种非易失性NAND闪速半导体存储装置，其配置以分别在擦除操作之前和之后，执行预编程操作和编程后操作至少之一，每个该预编程操作和编程后操作包括提供编程电压至定义该存储装置的字线块的多个字线的子集。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||