Li掺杂的p－Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>O晶体薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开的Li掺杂的p-Zn_1-xMg_xO晶体薄膜，其MgO的摩尔含量x为0＜x＜20％，Li的摩尔含量y为0＜y＜2％，Li掺杂p-Zn_1-xMg_xO晶体薄膜的载流子浓度为10¹⁵～10¹⁹cm^-3。薄膜的制备采用脉冲激光沉积法，靶材是由高纯ZnO、MgO和Li₂CO₃粉末混合烧结的陶瓷靶，其中MgO的摩尔含量为0＜x＜20％，Li₂CO₃的摩尔含量为0＜y＜1％，在压强为0.1～50Pa的高纯氧气氛下生长，生长温度为400～700℃，掺杂浓度可以通过调节靶材中Li的含量控制。本发明以金属Li离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，因此所得的p-Zn_1-xMg_xO晶体薄膜具有良好的稳定性和可重复性。

主权项

1.Li掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜，其特征在于MgO的摩尔含量x为0＜x＜20％，Li的摩尔含量y为0＜y＜2％，Li掺杂p-Zn1-xMgxO晶体薄膜的载流子浓度为1015～1019cm-3。