| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明有关一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含一基材以及布局于该基材上的一集成电路，通过形成一阻隔层，以构成一平坦的表面，使得一底层金属可以形成于该阻隔层之上，从而避免导电层产生断点而影响其阻抗分布，使其具有稳定的导电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101231977A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710007333.7 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 南茂科技股份有限公司 | 发明人 | 傅文勇 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包含：一基材；一集成电路，布局于该基材上；一钝化层，覆盖于设有该集成电路的该基材上，形成非平坦的一第一上表面；一阻隔层，形成于该钝化层之上，形成平坦的一第二表面；以及一底层金属，形成于该阻隔层的该第二表面上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 | ||