| 发明名称 | 等离子体发生装置和使用等离子体发生装置的膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 为了低成本容易地产生较长的等离子体，以及为了使用单个的等离子体发生装置执行多种膜沉积方法，本发明提供一种等离子体发生装置，在其真空内部中配置有筒形电极，所述筒形电极在其一部分中包括开口，并且当将气体引入其中并且向其施直流负电压时在其中产生等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN101233792A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680028272.6 | 申请日期 | 2006.07.31 |
| 申请人 | 日本大业照明株式会社 | 发明人 | 江南;王宏兴;平木昭夫;羽场方纪 |
| 分类号 | H05H1/24(2006.01);C01B31/02(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C16/509(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H05H1/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种等离子体发生装置，在其真空内部中配置有筒形电极，其中将气体引入到所述筒形电极中，并且向筒形电极施加直流负电压作为等离子体发生电压。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||