发明名称 用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构
摘要 本发明涉及用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构。一种存储装置及读取该装置的方法,包含具有与其相关的数据状态的相变化元件,其特征在于在有读取电流存在时,将相变化元件的数据状态维持一致。存储电路包含定义感测节点的感测放大器。电路选择性地放置位线以与感测节点作数据通信,以定义所选位线。电流源产生读取电流,切换器选择性施加读取电流到感测节点。逻辑与感测节点作电通信以控制读取电流存在时相变化材料的总能量,使数据状态保持一致。
申请公布号 CN101231884A 申请公布日期 2008.07.30
申请号 CN200810001947.9 申请日期 2008.01.04
申请人 旺宏电子股份有限公司;奇梦达股份有限公司 发明人 汤玛斯·D.·汉普;龙翔澜;汤玛斯·尼斯曲
分类号 G11C11/56(2006.01);G11C16/26(2006.01) 主分类号 G11C11/56(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1.一种存储装置,包括:一存储单元,耦接一位线及一字线,并包含相变化材料,所述相变化材料具有与之相关的一数据状态;一感测放大器,定义一感测节点;一位线解码器,选择性耦接所述位线与所述感测节点,供定义一所选位线;一电流源,产生一读取电流;一切换器,耦接所述电流源以选择性施加所述读取电流于所述感测节点;一电路,与所述切换器耦接并回应来自所述所选位线的一信号的电路,以控制所述所选位线所属存储单元中的相变化材料在所述读取电流存在时所被施加的能量,以使所述数据状态维持一致。
地址 中国台湾新竹科学工业园区