一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺。下包层、芯层和上包层依次沉积在衬底上。其刻蚀深度大于上包层和芯层总厚度，即上包层、芯层以及部分或全部下包层被刻穿。本发明采用二氧化硅薄膜沉积技术在衬底上依次沉积下包层、芯层和上包层，再利用深刻蚀技术，将上包层和芯层刻穿，并刻蚀部分或全部下包层。本发明的深刻蚀二氧化硅脊型波导增强了对光场的限制，能大大减小弯曲半径，极大地提高了光集成度。同时在三层薄膜沉积过程中，样片不取出薄膜沉积设备反应腔外，工艺流程上更为便利。

主权项

1.一种深刻蚀二氧化硅脊型波导，依次包括上包层(1)、芯层(2)、下包层(3)和衬底(4)，下包层(3)、芯层(2)和上包层(1)依次沉积在衬底(4)上；其特征在于：其刻蚀深度大于上包层(1)和芯层(2)总厚度，即上包层(1)、芯层(2)以及部分或全部下包层(3)被刻穿。