层叠型半导体存储装置

摘要

本发明提供一种层叠型半导体存储装置，无需复杂的布线和部件，便可提高芯片成品率。该层叠型半导体存储装置由多个半导体芯片层(C1～C4)层叠而成，在各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘(CS1、CS2)，从而将用于选择各个芯片层的芯片选择信号同时输入至各芯片层。各芯片层具有可对输出信号编程的程序电路(PG1、PG2)；根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判断芯片选择的芯片选择判断电路(10)。程序电路具有可写入的非易失性存储单元(122)、(124)；与该非易失性存储单元相连接，根据该非易失性存储单元中的记录内容输出不同信号的逻辑电路，且不需要熔丝的熔断工序。

主权项

1.一种半导体存储装置，由多个半导体芯片层层叠而成，各芯片层具有连接在芯片层之间的芯片选择焊盘，从而将用于选择各个芯片层的芯片选择信号共同输入至各芯片层；其中，各芯片层包括：程序电路，所述程序电路包括可写入的非易失性存储单元，和连接至所述非易失性存储单元，并根据该非易失性存储单元的存储内容而输出不同信号的逻辑电路，其中，所述非易失性存储单元在写入后可以重写存储内容；芯片选择判定电路，其根据所述芯片选择信号和所述程序电路的输出信号判定芯片选择，其中，所述程序电路包括：触发器，具有第一端以及第二端；第一铁电电容器，向所述第一端提供第一电容；第二铁电电容器，向所述第二端提供与所述第一电容不同的第二电容；电压源，向其所述第一端以及所述第二端被提供了所述第一电容以及所述第二电容的所述触发器提供用于驱动所述触发器的驱动电压。