| 发明名称 | 加工衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及加工衬底的方法，其包括：(a)在腔室内使用循环方法在衬底中刻蚀大体竖直的结构，所述循环方法包括：使用反应刻蚀气体的刻蚀步骤和用以在已通过在先的一个或多个刻蚀步骤刻蚀的结构部分的侧壁上沉积保护性聚合物的沉积步骤；和(b)在不存在任何衬底的情况下，清除由进行步骤(a)中的沉积步骤而沉积在腔室上的材料，其特征在于，在清除沉积产生的材料之后，通过将腔室暴露于等离子体来清除腔室中的来自刻蚀剂气体的材料，所述等离子体包含O<SUB>2</SUB>与至少刻蚀剂气体的一种或多种活性元素的混合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101233072A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680027426.X | 申请日期 | 2006.07.12 |
| 申请人 | 阿维扎技术有限公司 | 发明人 | N·J·阿普尔亚德;K·鲍威尔 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/00(2006.01);B08B7/00(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 1.加工衬底的方法，其包括：(a)在腔室内使用循环方法在衬底中刻蚀大体竖直的结构，所述循环方法包括：使用反应刻蚀气体的刻蚀步骤和用以在已通过在先的一个或多个刻蚀步骤刻蚀的结构部分的侧壁上沉积保护性聚合物的沉积步骤；和(b)在不存在任何衬底的情况下，清除由进行步骤(a)中的沉积步骤而沉积在腔室上的材料，其特征在于，在清除沉积产生的材料之后，通过将腔室暴露于等离子体来清除腔室中的来自刻蚀剂气体的材料，所述等离子体包含O2与至少刻蚀剂气体的一种或多种活性元素的混合物。 | ||
| 地址 | 英国格温特 | ||