| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种半导体器件的制造方法，在具有半导体晶片上形成孔的工艺的加工管理中，使用非破坏检测的同时，可以进行与以往相比更加严格且简便的加工管理。本发明的半导体器件的制造方法，其特征在于，将在半导体晶片上所形成的多个孔中的一个孔确定为测定对象孔，对所述测定对象孔的孔顶的形状或直径、该测定对象孔的孔底的形状或直径、以及该测定对象孔的底部状态或底部残渣物进行非破坏性测定，并根据所述孔顶的形状或直径、所述孔底的形状或直径、以及所述底部状态或底部残渣物，进行半导体器件的加工管理。 | ||
| 申请公布号 | CN101233609A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200580049661.2 | 申请日期 | 2005.05.02 |
| 申请人 | 株式会社拓普康 | 发明人 | 山田惠三 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，将在半导体晶片上所形成的多个孔中的一个孔确定为测定对象孔，对所述测定对象孔的孔顶的形状或直径、该测定对象孔的孔底的形状或直径、以及该测定对象孔的底部状态或底部残渣物进行非破坏性测定，根据所述孔顶的形状或直径、所述孔底的形状或直径、以及所述底部状态或底部残渣物，进行半导体器件的加工管理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||