| 发明名称 | 用于制造半导体装置的晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造半导体装置晶体管的方法。该方法包括：在包括底部结构的基片上形成装置隔离层，从而限定有源区；蚀刻有源区至预定深度以形成多个凹陷结构，所述凹陷结构的每个具有平的底部部分，所述底部部分具有比顶部部分的大的关键尺度(CD)；并且在凹陷结构上顺序形成栅氧化物层和金属层；并且图案化栅氧化物层和金属层以形成多个栅结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100407407C | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200510135164.6 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金明玉;郑台愚;李圣权;张世亿 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体装置的晶体管的方法，包括：在包括底部结构的基片上形成装置隔离层，从而限定有源区；蚀刻所述有源区至预定深度以形成多个凹陷结构，所述凹陷结构的每个具有平的底部部分，所述底部部分的关键尺度比顶部部分的大；及在所述凹陷结构上顺序形成栅氧化物层和金属层；以及图案化所述栅氧化物层和所述金属层以形成多个栅结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||