发明名称 |
镶嵌内连线结构与双镶嵌工艺 |
摘要 |
一种双镶嵌工艺,首先提供一衬底,其具有一底层介电层、形成在该底层介电层中的下层导电层,及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层,接着,于该盖层上沉积一介电层,再于该介电层上沉积一硅氧层,再于该硅氧层上形成一金属硬掩模,接着于该金属硬掩模中形成一沟槽凹口,然后,经由该沟槽凹口,蚀刻该硅氧层与该介电层,形成通路开口,使其暴露出部分的该盖层,最后,进行一衬垫层蚀除(LRM)工艺,利用一不含氢的氟烷气体混合一含氮气体等离子,选择性地蚀除经由该通路开口暴露出来的该盖层,暴露出部分的该下层导电层。 |
申请公布号 |
CN101231968A |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200710008111.7 |
申请日期 |
2007.01.26 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
黄俊仁;赖育聪;姚志成;廖俊雄 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L23/522(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种镶嵌工艺,包含有以下的步骤:提供衬底,其具有底层介电层、形成在该底层介电层中的下层导电层,以及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层;于该盖层上沉积介电层;于该介电层中蚀刻出开口,暴露出部分的该盖层;以及进行衬垫层蚀除工艺,利用四氟化碳/三氟化氮气体等离子,选择性地蚀除经由该开口暴露出来的该盖层,以暴露出部分的该下层导电层以及该底层介电层,形成通路开口,其中于该通路开口的底部,该下层导电层及该底层介电层之间的落差仅小于150埃。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |