两侧绝缘体上半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。绝缘体上半导体衬底的两侧都用于形成MOSFET结构。在第一半导体层上形成第一类型器件之后，操作晶片被结合至第一中段介电层的顶部。然后去除载体衬底的下部从而暴露第二半导体层以便在其上形成第二类型器件。导电通路可以穿过所述掩埋绝缘层而形成，以便电连接所述第一类型器件和第二类型器件。阻挡掩模的使用被最小化，因为各侧的掩埋绝缘体仅具有一种类型的器件。在所述结构中存在两级器件并且减小或消除了不同类型的器件之间的边界区，由此提高了器件的封装密度。相同的对准标记可以对准晶片，其或者前侧朝上或后侧朝上。

主权项

1.一种半导体结构，包括：掩埋绝缘层；位于第一半导体层上的至少一第一类型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一半导体层直接接触所述掩埋绝缘层的底表面；和位于第二半导体层上的至少一第二类型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第二半导体层直接接触所述掩埋绝缘层的顶表面。