| 发明名称 | 磷化铟单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种制造含掺杂剂的磷化铟单晶的方法，该方法包括：将横截面积为结晶体横截面积的15％或大于15％的晶种置于生长容器下端，以使所述晶体生长方向沿<100>取向；将含有所述晶种、磷化铟原料、掺杂剂和氧化硼的所述生长容器置于晶体生长室中，并将温度升高到等于或高于磷化铟的熔点；在加热并熔化氧化硼、磷化铟原料、掺杂剂和所述晶种的一部分后，降低所述生长容器的温度，以便沿所述生长容器纵向生长具有<100>取向的单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN101230488A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710163422.0 | 申请日期 | 2004.05.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 川瀬智博 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种制造含掺杂剂的磷化铟单晶的方法，包括：将横截面积为结晶体横截面积的15％或大于15％的晶种置于生长容器下端，以使所述晶体生长方向沿<100>取向；将含有所述晶种、磷化铟原料、掺杂剂和氧化硼的所述生长容器置于晶体生长室中，并将温度升高到等于或高于磷化铟的熔点；在加热并熔化氧化硼、磷化铟原料、掺杂剂和所述晶种的一部分后，降低所述生长容器的温度，以便沿所述生长容器纵向生长具有<100>取向的单晶。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||