发明名称 | 半导体薄膜及其制造方法 | ||
摘要 | 提供一种透明氧化物半导体及其制造方法,其由以氧化铟为主成分,添加了氧化铈的氧化物构成,不会因为光造成误操作,进行加热等时薄膜的比电阻不会发生变化。采用的半导体薄膜含有氧化铟和氧化铈,由结晶质构成,比电阻为10<SUP>+1</SUP>~10<SUP>+8</SUP>Ωcm。该半导体薄膜的比电阻变化少,迁移率高。因此用该半导体薄膜构成开关元件,可以获得开关性能得到提高的元件。 | ||
申请公布号 | CN101233257A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
申请号 | CN200680028095.1 | 申请日期 | 2006.08.07 |
申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 |
分类号 | C23C14/08(2006.01);C01G15/00(2006.01);H01L21/363(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 1.一种半导体薄膜,其含有氧化铟和氧化铈,由结晶质构成,其特征在于,比电阻为10+1~10+8Ωcm。 | ||
地址 | 日本国东京都 |