| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100407422C | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN02811441.8 | 申请日期 | 2002.04.05 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 角义之;内藤孝洋;佐藤俊彦;池上光;菊池隆文 |
| 分类号 | H01L25/04(2006.01) | 主分类号 | H01L25/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包含下列工序：a、制备其主面上具有多个布线的布线衬底；b、制备其主面上分别具有多个半导体元件和多个电极的第1半导体芯片和第2半导体芯片；c、通过多个第1凸点电极在布线衬底的主面上安装第1半导体芯片，使得其主面与布线衬底的主面相对；d、通过多个第2凸点电极在布线衬底的主面上安装第2半导体芯片，使得其主面与布线衬底的主面相对，并使得第1半导体芯片的一个侧面和第2半导体芯片的一个侧面相邻；e、用第1树脂填充由第1半导体芯片和第2半导体芯片的相邻的一个侧面以及布线衬底的主面规定的区域；以及f、在工序e后，用第2树脂密封第1半导体芯片和第2半导体芯片。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||