| 发明名称 | 在SONOS闪存中的双倍密度核心栅极 | ||
| 摘要 | 一种形成非挥发性半导体内存装置的方法，包括在基板(12)的上方形成电荷捕捉介电质(114)；于核心区域中在该电荷捕捉介电质(114)的上方形成第一组存储单元栅极(116)；在该第一组存储单元栅极(116)的周围形成一致的绝缘材料层(118)；以及在该核心区域中形成第二组存储单元栅极(122)，其中该第二组存储单元栅极(122)的每一个存储单元栅极相邻于该第一组存储单元栅极(116)的至少其中一个存储单元栅极，该第一组存储单元栅极(116)的每一个存储单元栅极相邻于该第二组存储单元栅极(122)的至少其中一个存储单元栅极，以及该一致的绝缘材料层(118)置于已揭示的各个相邻的存储单元栅极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100407411C | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN02819283.4 | 申请日期 | 2002.09.30 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | Y·孙;M·A·范布斯科克;M·T·拉姆斯比 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成非挥发性半导体内存装置的方法，包含：在基板的上方形成电荷捕捉介电质，该基板具有核心区域；在该核心区域中的该电荷捕捉介电质的上方形成第一组存储单元控制栅极；在该第一组存储单元控制栅极的周围形成共形的绝缘材料层，且不移除介于该第一组存储单元栅极间的该电荷捕捉介电质的至少下部；以及在该核心区域中形成第二组存储单元控制栅极，其中该第二组存储单元控制栅极的每一个存储单元控制栅极和该第一组存储单元控制栅极的至少其中一个存储单元控制栅极水平相邻，该第一组存储单元控制栅极的每一个存储单元控制栅极和该第二组存储单元控制栅极的至少其中一个存储单元控制栅极水平相邻，以及该共形的绝缘材料层置于各个水平相邻的存储单元控制栅极之间，而该电荷捕捉介电质的该至少下部则位于第一和第二组存储单元控制栅极之下。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||