| 发明名称 | 半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，采用两个半导体二级管构成双端泵浦激光晶体，输出808nm泵浦光经过非球面光学耦合系统及透镜耦合到激光晶体产生1064nm激光，再经过由五个平面镜构成的谐振腔进行腔内振荡，并由Q开关调制；调制后的1064nm基频光两次经过二倍频晶体进行1064nm基频光到532nm倍频光的转换，未完成倍频转换的1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体和频，得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切割的一面输出。该方案激光腔内具有较大模体积，倍频晶体处具有小的激光光斑，三倍频晶体采用布儒斯特角切割方式大大减小了腔内损耗，实现高功率激光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101232148A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810020724.7 | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 苏州德龙激光有限公司 | 发明人 | 赵裕兴;李立卫;吕楠楠 |
| 分类号 | H01S3/0941(2006.01);H01S3/05(2006.01);H01S3/16(2006.01);H01S3/109(2006.01);H01S3/00(2006.01) | 主分类号 | H01S3/0941(2006.01) |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 主权项 | 1.半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：采用两个半导体二极管(1、9)构成双端泵浦方式泵浦激光晶体，其中一个半导体二极管(1)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(2、3)构成的非球面光学耦合系统及透镜(4)耦合到激光晶体(5)内，另一个半导体二极管(9)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(8、7)构成的非球面光学耦合系统及透镜(6)也耦合到激光晶体(5)内，产生的1064nm激光经过由五个平面镜(11、12、13、14、15)构成的谐振腔进行腔内振荡，并由Q开关(10)进行调制；调制的1064nm基频光两次经过二倍频晶体(16)进行1064nm基频光到532nm倍频光的转换，未完成二次倍频转换的剩余1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体(17)进行和频，得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切割的一面输出。 | ||
| 地址 | 215021江苏省苏州市工业园区苏虹中路77号 | ||