| 发明名称 | 一种制备交叉结构有机分子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一种制备交叉结构有机分子器件的方法，该方法包括：A.在基片表面上淀积电介质薄膜；B.在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和显影在抗蚀剂上得到电极图形；C.淀积金属，剥离得到下电极金属图形；D.生长有机分子薄膜；E.淀积上电极金属材料；F.旋涂抗蚀剂，X射线光刻并显影，得到上电极图形；G.以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极；H.去胶，完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明，有效地改善了交叉结构有机分子器件的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN101232077A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710062984.6 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 涂德钰;刘明;谢常青;朱效力;贾锐 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L51/48(2006.01);H01L51/56(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种制备交叉结构有机分子器件的方法，其特征在于，该方法包括：A、在基片表面上淀积电介质薄膜；B、在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，利用X射线光刻和显影在抗蚀剂上得到电极图形；C、淀积金属，剥离得到下电极金属图形；D、生长有机分子薄膜；E、淀积上电极金属材料；F、旋涂抗蚀剂，X射线光刻并显影，得到上电极图形；G、以抗蚀剂为掩蔽刻蚀，得到上电极；H、去胶，完成交叉有机分子器件的制备。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||