| 发明名称 | 固体摄像装置和照相机 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种固体摄像装置和照相机，与以往的放大型固体摄像装置相比较，低噪声、高增益而且高灵敏度，该固体摄像装置排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。 | ||
| 申请公布号 | CN101232034A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810080851.6 | 申请日期 | 2004.08.05 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 篠原真人 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 曲瑞 |
| 主权项 | 1.一种固体摄像装置，排列了多个像素，每个像素至少包括：光电二极管，用于存储由入射光产生的信号电荷；和放大用MOS晶体管，在栅极电极接受该信号电荷，放大该信号电荷并输出放大后的信号，其中：该放大用MOS晶体管具有第1导电类型的源以及漏，该源以及漏形成在与该放大用MOS晶体管的源以及漏相同导电类型的第一半导体区中，该第一半导体区中的杂质浓度比该源以及漏低，与该第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体区至少形成在该放大用MOS晶体管的栅极的下部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||