| 发明名称 | 磁性隧道结传感器方法 | ||
| 摘要 | 提供用于感测物理参数的方法和装置。装置(30)包括磁性隧道结(MTJ)(32)以及其磁场(35)覆盖MTJ并且其与MTJ的接近度响应到传感器的输入而变化的磁场源(34)。MTJ包括由配置成允许其间显著隧穿传导的电介质(37)相隔的第一和第二磁性电极(36，38)。第一磁性电极具有被钉扎的自旋轴并且第二磁性电极具有自由的自旋轴。定位磁场源距离第二磁性电极比距离第一磁性电极更近。总体传感器动态范围通过提供接收相同输入但是具有不同的各自响应曲线并且期望地但不是必需地形成于相同衬底上的多个电连接传感器而扩展。 | ||
| 申请公布号 | CN101233421A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680027876.9 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 郑永雪;罗伯特·W·拜尔德 |
| 分类号 | G01R33/02(2006.01) | 主分类号 | G01R33/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种形成具有输入的传感器的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)；在MTJ上沉积隔离物；在隔离物上提供磁场源(MFS)，该MFS具有至少部分地位于MTJ上的部分；以及去除MFS与MTJ之间的隔离物的一部分使得位于MTJ上的MFS的部分可以响应到传感器的输入而相对于MTJ移动。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||