半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括图像传感器区和电路区，其中上述电路区包括接合焊盘区和连线区；多层互连线结构，形成于上述基板上，其中上述多层互连线结构包括多个介电层、多条较低导线和顶连线，上述多条较低导线位于上述接合焊盘区和上述连线区中，上述顶连线位于上述连线区中的至少一根较低导线上；保护层，形成于上述多层互连线结构上方；接合焊盘结构，形成于上述保护层和至少一个介电层中，且电连接至位于上述接合焊盘区中的至少一根较低导线。本发明可以避免光敏感度的衰减和色度亮度干扰的问题，因此可以提升图像传感器的性能。

主权项

1.一种半导体装置，包括：基板，其包括图像传感器区和电路区，其中该电路区包括接合焊盘区和连线区；多层互连线结构，形成于该基板上，其中该多层互连线结构包括多个介电层、多根较低导线和顶连线，所述多根较低导线位于该接合焊盘区和该连线区中，该顶连线位于该连线区中的至少一根较低导线上；保护层，形成于该多层互连线结构上方；以及接合焊盘结构，形成于该保护层和至少一个介电层中，以及该接合焊盘区中的至少一根较低导线上，且该接合焊盘结构电连接至该接合焊盘区中的至少一根较低导线。