发明名称 |
图象传感器的制造方法及图象传感器 |
摘要 |
一种图象传感器的制造方法,将具有包含第1导电型的第1区及和所述第1导电型不同的第2导电型的第2区的第1光电二极管、包含所述第2区及和所述第1导电型的第3区的第2光电二极管的传感器部在半导体基板上排列多个而成。该方法包括:在半导体基板上形成的所述第1区上,通过外延生长形成所述第2导电型的所述第2区的工序;在所述第2区上,通过外延生长形成所述第1导电型的所述第3区的工序。 |
申请公布号 |
CN100407431C |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200410063673.8 |
申请日期 |
2004.07.14 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
泽濑研介;松本裕司;泽清隆 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L31/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
刘建 |
主权项 |
1.一种图象传感器的制造方法,其特征在于:该制造方法是制造将具有包含第1导电型的第1区及与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区的第1光电二极管、和包含所述第2区及所述第1导电型的第3区的第2光电二极管的传感器部在半导体基板上排列多个而成的图象传感器的方法;所述制造方法包括:在半导体基板上形成的所述第1区上,通过外延生长形成所述第2导电型的所述第2区的工序;在所述第2区上,通过外延生长形成所述第1导电型的所述第3区的工序;和向所述第3区的表层部,掺入所述第1导电型的杂质,形成杂质浓度高于所述第3区的其它部分的第4区的工序。 |
地址 |
日本京都府 |