| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 穿透半导体基片并且与半导体基片绝缘隔离的贯通电极包括内部贯通电极、四边形环状半导体以及外围贯通电极。四边形环状半导体围绕内部贯通电极形成，并且外围贯通电极围绕四边形环状半导体形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100407418C | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200610059662.1 | 申请日期 | 2006.03.17 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 内山士郎 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种贯通电极，其穿透半导体基片并且与所述半导体基片绝缘隔离，所述贯通电极包含：内部贯通电极；四边形环状半导体；以及外围贯通电极，其中，所述四边形环状半导体围绕所述内部贯通电极形成，并且所述外围贯通电极围绕所述四边形环状半导体形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||