| 发明名称 | 存储器件及其操作和制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储晶体管，包括衬底、在该衬底上的隧穿绝缘图形、在该遂穿绝缘图形上的电荷存储图形、在该电荷存储图形上的阻挡绝缘图形和在该阻挡绝缘图形上的栅极，该阻挡绝缘图形包围该栅极，以及一种操作和制造该存储晶体管的方法。非易失性存储器还可以包括串联的多个存储晶体管和在串联的多个单元晶体管中每一个之间的多个辅助结构。多个辅助结构中的每一个都可以是虚拟掩模图形或者辅助栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101232048A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200710166675.3 | 申请日期 | 2007.11.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌炫;崔炳仁 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/10(2006.01);G06F13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种存储晶体管，包括：衬底；在衬底上的遂穿绝缘图形；在遂穿绝缘图形上的电荷存储图形；在电荷存储图形上的阻挡绝缘图形；在阻挡绝缘图形上的栅极，阻挡绝缘图形包围栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||