用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具的方法以及结构

摘要

一种用以校准用于测量半导体装置特征尺寸的散射测量工具(74)的方法以及结构，于一实施例中，该方法包含利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上至少一产品特征的临界尺寸(critical dimension)，利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上多个光栅结构(60)的至少一光栅(grating)结构，该多个光栅结构(60)的每一光栅结构(60)均具有不同的临界尺寸，且依据至少一光栅结构(60)的测量结果修正所测量出的至少一产品特征的临界尺寸。于另一实施例中，该方法包含于晶片(31)上形成多个产品特征，于该晶片(31)上形成多个光栅结构(60)，该多个光栅结构(60)中的每一个光栅结构(60)包含多个特征(38A)，其中每一个特征具有目标临界尺寸藉以定义该光栅结构(60)的临界尺寸，该些光栅结构(60)的每一个光栅结构(60)具有不同的临界尺寸，利用散射测量工具(74)测量该些产品特征中至少一者的临界尺寸，利用散射测量工具(74)测量该些光栅结构(60)的至少之一以确定该至少一光栅结构(60)的至少一特征所被测量出的临界尺寸，以及依据该至少一光栅结构(60)上的至少一特征(38A)所被测量出的临界尺寸与该至少一光栅结构(60)上的特征(38A)的目标临界尺寸间的比较结果修正该至少一产品特征所被测量出的临界尺寸。

主权项

1.一种用以校准散射测量工具的方法，包含：利用散射测量工具(74)测量形成于晶片(31)上至少一产品特征的临界尺寸；利用该散射测量工具(74)测量形成于该晶片(31)上多个光栅结构(60A-E)的至少一光栅结构(60)，该多个光栅结构(60A-E)中各光栅结构(60A-E)具有不同的临界尺寸，该至少一光栅结构(60)的临界尺寸最接近该至少一产品特征的该测量的临界尺寸；以及依据该至少一光栅结构(60)的测量结果确定修正参数，其中该校准后的散射测量工具(74)于确定该至少一产品特征的临界尺寸时，该修正参数可用于该至少一产品特征的被测量的临界尺寸。