| 发明名称 | 热处理腔中的晶圆支架的温度测量和控制 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于在快速热处理工艺中实现均匀加热衬底的装置和方法。更具体地，本发明提供一种用于在快速热处理工艺中控制支撑衬底的边缘环的温度的装置和方法，以改善整个衬底上的温度均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101231941A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810002374.1 | 申请日期 | 2008.01.15 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 亚伦·缪尔·亨特;布鲁斯·E·亚当斯;梅兰·贝德亚特;拉杰士·S·罗摩努亚姆;约瑟夫·M·拉内什 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种用于处理衬底的腔，包括：一腔外壳，用于限定处理空间；设置在所述处理空间中的衬底支架；设置在所述衬底支架上的边缘环，所述边缘环配置用于在所述衬底的外围上支撑所述衬底；第一热源，用于加热所述衬底；和第二热源，用于加热所述边缘环，其中所述第二热源是独立于所述第一热源可控的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||