发明名称 |
微隅角棱镜阵列、制造它的方法以及反射型显示装置 |
摘要 |
一种制造微隅角棱镜阵列的方法,包括以下步骤:制备基底,它的至少一个表面部分包括立方单晶体,并且它具有一个实质平行于晶体{111}平面的表面;各向异性地蚀刻基底表面,以此在基底表面上形成多个微隅角棱镜阵列单元。每个所述单元由多个晶体平面构成,以低于晶体{111}平面蚀刻率的蚀刻率形成晶体平面。 |
申请公布号 |
CN100406921C |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN02124372.7 |
申请日期 |
2002.06.17 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
箕浦洁;植木俊;伊藤康尚;伊原一郎;泽山丰;谷口幸治 |
分类号 |
G02B5/124(2006.01) |
主分类号 |
G02B5/124(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
1.一种制造微隅角棱镜阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)制备基底,所述基底的一个表面包括立方单晶体并且实质平行于晶体{111}平面;b)各向异性地蚀刻基底的所述表面,以此在基底的所述表面上形成多个微隅角棱镜阵列单元,每个所述单元由多个晶体平面构成,以低于晶体{111}平面蚀刻率的蚀刻率形成晶体平面;以及c)在步骤a)和b)之间,用蚀刻掩模层涂覆基底的所述表面,其中,步骤b)包括以低于晶体{111}平面蚀刻率的蚀刻率形成晶体{100}平面的步骤,步骤b)包括各向异性地蚀刻基底的所述表面的步骤,使得{111}平面的蚀刻率与较低的晶体平面的蚀刻率的比值大于1.73,以及其中所述蚀刻掩模层包括多个掩模单元和/或多个开口,每个掩模单元和/或每个开口具有实质位于蜂窝阵点处的中点。 |
地址 |
日本大阪府 |