摘要 |
Ein nicht-flüchtiges Speicherbauelement weist ein Speicherzellenarray, einen Seitenpuffer, eine Zellcharakteristik-Erkennungsschaltung, einen x-Decodierer und einen y-Decodierer auf. Das Speicherzellenarray weist Speicherzellen auf, die an Bitleitungen und Wortleitungen gekoppelt sind. Der Seitenpuffer programmiert Daten in eine gewählte Speicherzelle oder liest Daten aus der gewählten Speicherzelle. Die Zellcharakteristik-Erkennungsschaltung ist an einen Abtastknoten des Seitenpuffers gekoppelt und gibt in Übereinstimmung mit einem Verteilungszustand der Speicherzelle unter Verwendung einer Lesespannung und einer Programmierspannung ein Steuersignal für die gewählte Speicherzelle aus. Der x-Decodierer wählt in Übereinstimmung mit einer eingegebenen Adresse eine Wortleitung des Speicherzellenarrays aus. Der y-Decodierer stellt einen Pfad zum Eingeben/Ausgeben von Daten in die/aus der gewählten Speicherzelle bereit. Die gewählte Speicherzelle wird hier in Übereinstimmung mit dem von der Zellcharakteristik-Verifizierungsschaltung ausgegebenen Steuersignal programmiert, indem die Programmierspannung verwendet wird, die einer Programmierverifizierungsspannung entspricht.
|