发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Elektrode für Siliziumkarbidhalbleiter
摘要
申请公布号 DE60227022(D1) 申请公布日期 2008.07.24
申请号 DE20026027022 申请日期 2002.03.26
申请人 NGK SPARK PLUG CO. LTD. 发明人 NAKASHIMA, KENSHIRO;OKUYAMA, NAGOYA;YOKOI, HITOSHI;OSHIMA, TAKAFUMI
分类号 H01L21/28;H01L29/45;H01L21/04;H01L29/24;H01L29/861 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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