| 发明名称 | 完全硅化区域以提高性能的结构及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及完全硅化区域以提高性能的结构及其方法。公开了包括完全硅化的区域的结构以及相关的方法。在一个实施例中，一种结构包括：衬底；部分硅化的区域，位于在所述衬底上形成的集成电路的有源区域中；完全硅化的区域，位于所述集成电路的非有源区域中；以及其中由公共半导体层形成所述部分和完全硅化的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101226931A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810002203.9 | 申请日期 | 2008.01.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·A·安德森;E·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种结构包括：衬底；部分硅化的区域，位于在所述衬底上形成的集成电路的有源区域中；完全硅化的区域，位于所述集成电路的非有源区域中；以及其中由公共半导体层形成所述部分和完全硅化的区域。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||