| 发明名称 | 半导体器件的形成方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明的第一方面是形成半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底[415]中形成三维(3D)图案[405]；以及按照半导体器件的所需特性在衬底[415]上淀积至少一种材料[410]。 | ||
| 申请公布号 | CN100405542C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200510006706.X | 申请日期 | 2005.01.28 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | P·梅 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在实施任何加工步骤以在衬底上形成半导体器件之前在所述衬底中形成三维图案；以及按照所述半导体器件的所需特性，在加工步骤中在所述衬底上去除或淀积至少一种材料，其中在所述三维图案中创建的二维对准特征用于对准至少一种物质的去除或淀积。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||