一种场发射元件的制备方法

摘要

本发明涉及一种场发射元件的制备方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一平整表面；在所述基底表面形成一催化剂层；通入碳源气体，加热至反应温度，碳源气体在催化剂作用下，生成碳纳米管阵列；在碳纳米管阵列顶端形成阴极电极；去除基底，露出碳纳米管阵列生长面。本发明方法形成的碳纳米管阵列发射端在同一平面，从而可实现电子均匀发射。

主权项

1.一种场发射元件的制备方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一平整表面；在所述基底表面形成一催化剂层；通入碳源气体，加热至反应温度，碳源气体在催化剂作用下，生成碳纳米管阵列；在碳纳米管阵列顶端形成阴极电极；去除基底，露出碳纳米管阵列生长面。