发明名称 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法
摘要 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法,它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法:将工业硅粉装入坩埚后,在氮气氛下烧结,随炉冷却至室温,得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法,工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
申请公布号 CN101224876A 申请公布日期 2008.07.23
申请号 CN200810063927.4 申请日期 2008.01.28
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 张晓东;温广武;黄小萧;钟博;白宏伟;邢双颖
分类号 C01B21/068(2006.01);C04B35/584(2006.01) 主分类号 C01B21/068(2006.01)
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 金永焕
主权项 1.一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法,其特征在于氮化硅纳米线和纳米带的制备方法按以下步骤进行:一、将工业硅粉装入坩埚后放入气氛烧结炉中,抽真空,使气氛烧结炉的真空度低于10Pa;二、向气氛烧结炉内充入氮气,使炉内气体压强达0.1~2.0MPa;三、气氛烧结炉以5~30℃/min的速度升温到1200~1600℃,并保温烧结5~360min后随炉冷却至室温,得氮化硅纳米线和纳米带。
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