| 发明名称 | 硅片脱附的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片脱附的方法，首先向静电卡盘增加反向电压，消除静电卡盘内部的静电荷，同时，通过将惰性气体电离成等离子体，利用离子的导电性，消除硅片表面的残余电荷，并通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否完全脱附。工艺集成度高、安全、生产效率高，尤其适用与半导体硅片加工工艺中，硅片与静电卡盘之间的脱附。 | ||
| 申请公布号 | CN101226871A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710062731.9 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 彭东阳 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/683(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明;任红 |
| 主权项 | 1.一种硅片脱附的方法，其特征在于，包括步骤：A、去掉静电卡盘的正向电压，并向静电卡盘增加反向电压；B、向反应腔室内通入惰性气体，并开启射频源，将惰性气体电离成等离子体；C、通过硅片背面的背吹He气从硅片与静电卡盘之间泄漏的流量，判断硅片是否脱附，当背吹He气的泄漏量大于设定值时，判断为硅片完全脱附。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||