| 发明名称 | 用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN101226963A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710300799.6 | 申请日期 | 2007.10.22 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋利宪;朴永洙;姜东勋;金昌桢;林赫 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/22(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：在部分衬底上的栅极；在该衬底和栅极上的栅极绝缘层；在该栅极之上的该栅极绝缘层上的包括氧化锌(ZnO)的沟道；接触该沟道相对侧面的源极和漏极；其中该薄膜晶体管被用作选择晶体管用于交叉点存储器。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||